Número de Producto del Fabricante:
IXFH120N25T
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFH120N25T-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 120A TO247AD
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 120A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventario:
12819898
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXFH120N25T Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
HiPerFET™, Trench
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
23mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11300 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
890W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AD (IXFH)
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IXFH120
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFP4768PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
2632
NÚMERO DE PIEZA
IRFP4768PBF-DG
PRECIO UNITARIO
3.59
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXTT240N15X4HV
MOSFET N-CH 150V 240A TO268HV
IXFQ34N50P3
MOSFET N-CH 500V 34A TO3P
IXTV26N50P
MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220
