Número de Producto del Fabricante:
IXFH80N10Q
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFH80N10Q-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventario:
12819671
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ENVIAR
IXFH80N10Q Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
HiPerFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
15mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
360W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AD (IXFH)
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IXFH80
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
IXFH80N10
IXFH80N10Q-NDR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
HUF75652G3
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
450
NÚMERO DE PIEZA
HUF75652G3-DG
PRECIO UNITARIO
5.03
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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FABRICANTE
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CANTIDAD DISPONIBLE
19
NÚMERO DE PIEZA
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PRECIO UNITARIO
4.48
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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1902
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PRECIO UNITARIO
2.10
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PRECIO UNITARIO
1.82
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CANTIDAD DISPONIBLE
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PRECIO UNITARIO
1.69
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