Número de Producto del Fabricante:
IXFL210N30P3
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFL210N30P3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 300V 108A ISOPLUS264
Descripción Detallada:
N-Channel 300 V 108A (Tc) 520W (Tc) Through Hole ISOPLUS264™
Inventario:
13 Pcs Nuevos Originales En Stock
12820395
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXFL210N30P3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar3™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
300 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
108A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
16mOhm @ 105A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 8mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
268 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
16200 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
520W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
ISOPLUS264™
Paquete / Caja
TO-264-3, TO-264AA
Número de producto base
IXFL210
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Otros nombres
-IXFL210N30P3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXFK40N90P
MOSFET N-CH 900V 40A TO264AA
IXFT52N50P2
MOSFET N-CH 500V 52A TO268
IXFT30N60P
MOSFET N-CH 600V 30A TO268
