Número de Producto del Fabricante:
IXFN150N10
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFN150N10-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 150A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventario:
12820813
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXFN150N10 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Bulk
Serie
HiPerFET™
Estado del producto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
150A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 8mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
360 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9000 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
520W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-227B
Paquete / Caja
SOT-227-4, miniBLOC
Número de producto base
IXFN150
Información Adicional
Paquete Estándar
20
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFN200N10P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
37
NÚMERO DE PIEZA
IXFN200N10P-DG
PRECIO UNITARIO
17.53
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXTP120P065T
MOSFET P-CH 65V 120A TO220AB
IXFP20N50P3
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
IXFK102N30P
MOSFET N-CH 300V 102A TO264AA
