Número de Producto del Fabricante:
IXFQ50N50P3
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFQ50N50P3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 50A TO3P
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 50A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventario:
292 Pcs Nuevos Originales En Stock
12821186
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ENVIAR
IXFQ50N50P3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar3™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
120mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4335 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
960W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3P
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
IXFQ50
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
-IXFQ50N50P3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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