Número de Producto del Fabricante:
IXFQ50N60P3
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFQ50N60P3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 50A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventario:
12821337
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IXFQ50N60P3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar3™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
145mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6300 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1040W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3P
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
IXFQ50
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FCA22N60N
FABRICANTE
Fairchild Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
545
NÚMERO DE PIEZA
FCA22N60N-DG
PRECIO UNITARIO
4.38
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IPW60R099CPAFKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
196
NÚMERO DE PIEZA
IPW60R099CPAFKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
4.16
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
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