Número de Producto del Fabricante:
IXFT50N60X
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFT50N60X-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 50A TO268
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 50A (Tc) 660W (Tc) Surface Mount TO-268
Inventario:
12820177
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ENVIAR
IXFT50N60X Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Estado del producto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
73mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4660 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
660W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-268
Paquete / Caja
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Número de producto base
IXFT50
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFT60N65X2HV
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
3
NÚMERO DE PIEZA
IXFT60N65X2HV-DG
PRECIO UNITARIO
7.25
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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