Número de Producto del Fabricante:
IXFT60N25Q
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFT60N25Q-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 60A TO268
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 60A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventario:
12821559
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXFT60N25Q Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
HiPerFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
47mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5100 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
360W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-268AA
Paquete / Caja
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Número de producto base
IXFT60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXTT82N25P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXTT82N25P-DG
PRECIO UNITARIO
5.71
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXFX120N30T
MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247-3
IXTP6N50D2
MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
IXFH13N80
MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
