Número de Producto del Fabricante:
IXFX120N25
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFX120N25-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 120A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventario:
12820087
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXFX120N25 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
HiPerFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
22mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 8mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
400 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9400 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
560W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PLUS247™-3
Paquete / Caja
TO-247-3 Variant
Número de producto base
IXFX120
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFP4768PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
2632
NÚMERO DE PIEZA
IRFP4768PBF-DG
PRECIO UNITARIO
3.59
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXFN132N50P3
MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
IXTA4N150HV
MOSFET N-CH 1500V 4A TO263
IXTQ30N50L
MOSFET N-CH 500V 30A TO3P