Número de Producto del Fabricante:
IXFX220N17T2
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFX220N17T2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 170 V 220A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventario:
12820050
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXFX220N17T2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
HiPerFET™, TrenchT2™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
170 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
220A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.3mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 8mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
500 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
31000 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PLUS247™-3
Paquete / Caja
TO-247-3 Variant
Número de producto base
IXFX220
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF200P222
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
971
NÚMERO DE PIEZA
IRF200P222-DG
PRECIO UNITARIO
4.96
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXFT26N60Q
MOSFET N-CH 600V 26A TO268
IXTH60N25
MOSFET N-CH 250V 60A TO247
IXFH40N30Q
MOSFET N-CH 300V 40A TO247AD
