Número de Producto del Fabricante:
IXFX90N60X
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFX90N60X-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 90A (Tc) 1100W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventario:
12914600
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ENVIAR
IXFX90N60X Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
90A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
38mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 8mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8500 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PLUS247™-3
Paquete / Caja
TO-247-3 Variant
Número de producto base
IXFX90
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFX100N65X2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXFX100N65X2-DG
PRECIO UNITARIO
11.71
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
TK62N60X,S1F
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
102
NÚMERO DE PIEZA
TK62N60X,S1F-DG
PRECIO UNITARIO
5.71
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
SCT3030ALGC11
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
10017
NÚMERO DE PIEZA
SCT3030ALGC11-DG
PRECIO UNITARIO
21.41
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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