Número de Producto del Fabricante:
IXTA110N12T2
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTA110N12T2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 120V 110A TO263
Descripción Detallada:
N-Channel 120 V 110A (Tc) 517W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Inventario:
12820924
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ENVIAR
IXTA110N12T2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
TrenchT2™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
120 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
110A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
14mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6570 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
517W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263AA
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IXTA110
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPB144N12N3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
2576
NÚMERO DE PIEZA
IPB144N12N3GATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.79
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXTA80N12T2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXTA80N12T2-DG
PRECIO UNITARIO
2.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IPB038N12N3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
1575
NÚMERO DE PIEZA
IPB038N12N3GATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
3.04
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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