Número de Producto del Fabricante:
IXTH1N170DHV
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTH1N170DHV-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HV
Descripción Detallada:
N-Channel 1700 V 1A (Tj) 290W (Tc) Through Hole TO-247HV
Inventario:
16 Pcs Nuevos Originales En Stock
12819237
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ENVIAR
IXTH1N170DHV Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
Depletion
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1700 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1A (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
0V
rds activados (máx.) @ id, vgs
16Ohm @ 500mA, 0V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
47 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3090 pF @ 25 V
Función FET
Depletion Mode
Disipación de potencia (máx.)
290W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247HV
Paquete / Caja
TO-247-3 Variant
Número de producto base
IXTH1
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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