Número de Producto del Fabricante:
IXTH60N20X4
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTH60N20X4-DG
Descripción:
MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-247
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 60A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247 (IXFH)
Inventario:
144 Pcs Nuevos Originales En Stock
12997403
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXTH60N20X4 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
21mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2450 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247 (IXFH)
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IXTH60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
238-IXTH60N20X4
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SIDR402EP-T1-RE3
N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET
SIHK055N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
FBG04N30BC
GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B
