IXTP18P10T

Número de Producto del Fabricante:

IXTP18P10T

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXTP18P10T-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB

Descripción Detallada:

P-Channel 100 V 18A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

2485 Pcs Nuevos Originales En Stock

12819581

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IXTP18P10T Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalaje

Tube

Serie

TrenchP™

Estado del producto

Active

Tipo FET

P-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

100 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

18A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

120mOhm @ 9A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

39 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±15V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

2100 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

83W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-220-3

Paquete / Caja

TO-220-3

Número de producto base

IXTP18

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

50

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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