Número de Producto del Fabricante:
IXTP1R6N100D2
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTP1R6N100D2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 1000 V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12820748
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXTP1R6N100D2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
Depletion
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10Ohm @ 800mA, 0V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
645 pF @ 25 V
Función FET
Depletion Mode
Disipación de potencia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IXTP1
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXTP110N12T2
MOSFET N-CH 120V 110A TO220AB
IXFB70N100X
MOSFET N-CH 1000V 70A PLUS264
IXFK36N60P
MOSFET N-CH 600V 36A TO264AA
