Número de Producto del Fabricante:
IXTP2N100P
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTP2N100P-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 1000 V 2A (Tc) 86W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
136 Pcs Nuevos Originales En Stock
12820967
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXTP2N100P Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
Polar
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
655 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
86W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IXTP2
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
-IXTP2N100P
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXKC23N60C5
MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220
IXTA08N50D2
MOSFET N-CH 500V 800MA TO263
IXKN75N60C
MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B