Número de Producto del Fabricante:
IXTQ200N10T
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTQ200N10T-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 200A TO3P
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventario:
14 Pcs Nuevos Originales En Stock
12820372
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ENVIAR
IXTQ200N10T Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
Trench
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9400 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
550W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3P
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
IXTQ200
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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