Número de Producto del Fabricante:
IXTT68P20T
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTT68P20T-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 200V 68A TO268
Descripción Detallada:
P-Channel 200 V 68A (Tc) 568W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventario:
488 Pcs Nuevos Originales En Stock
12821294
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXTT68P20T Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
TrenchP™
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
68A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
55mOhm @ 34A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
380 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
33400 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
568W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-268AA
Paquete / Caja
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Número de producto base
IXTT68
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXFX44N55Q
MOSFET N-CH 550V 44A PLUS247-3
IXTP36P15P
MOSFET P-CH 150V 36A TO220AB
IXFH9N80
MOSFET N-CH 800V 9A TO247AD
