Número de Producto del Fabricante:
IXTY01N100D
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTY01N100D-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Descripción Detallada:
N-Channel 1000 V 400mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
6296 Pcs Nuevos Originales En Stock
12821215
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ENVIAR
IXTY01N100D Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
Depletion
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
400mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
0V
rds activados (máx.) @ id, vgs
80Ohm @ 50mA, 0V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 25µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.8 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
100 pF @ 25 V
Función FET
Depletion Mode
Disipación de potencia (máx.)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IXTY01
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
70
Otros nombres
238-IXTY01N100D-CRL
Q14254273
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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