Número de Producto del Fabricante:
IXTY1R6N50D2
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTY1R6N50D2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12820941
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXTY1R6N50D2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
Depletion
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
-
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.3Ohm @ 800mA, 0V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23.7 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
645 pF @ 25 V
Función FET
Depletion Mode
Disipación de potencia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IXTY1
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
70
Otros nombres
238-IXTY1R6N50D2-CRL
Q16282632
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXTP230N075T2
MOSFET N-CH 75V 230A TO220AB
IXFK100N65X2
MOSFET N-CH 650V 100A TO264
IXKH20N60C5
MOSFET N-CH 600V 20A TO247AD
