Número de Producto del Fabricante:
APT1201R5BVRG
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
APT1201R5BVRG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1200V 10A TO247
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 10A (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
12939234
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
APT1201R5BVRG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4440 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
APT1201
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
150-APT1201R5BVRG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SQ2361AEES-T1_BE3
MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
SQ4410EY-T1_BE3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
SQJ488EP-T1_BE3
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
