Número de Producto del Fabricante:
APT34M120J
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
APT34M120J-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1200V 35A SOT227
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 35A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Inventario:
13258167
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ENVIAR
APT34M120J Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
300mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 2.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
560 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
18200 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
960W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-227
Paquete / Caja
SOT-227-4, miniBLOC
Número de producto base
APT34M120
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
10
Otros nombres
APT34M120JMI-ND
APT34M120JMI
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFN30N120P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXFN30N120P-DG
PRECIO UNITARIO
46.25
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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