Número de Producto del Fabricante:
APT38F80B2
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
APT38F80B2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 41A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Inventario:
37 Pcs Nuevos Originales En Stock
13251868
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ENVIAR
APT38F80B2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Tube
Serie
POWER MOS 8™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
41A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
240mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 2.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8070 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1040W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
T-MAX™ [B2]
Paquete / Caja
TO-247-3 Variant
Número de producto base
APT38F80
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
APT38F80B2MI-ND
APT38F80B2MI
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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