APT48M80B2
Número de Producto del Fabricante:

APT48M80B2

Product Overview

Fabricante:

Microchip Technology

Número de pieza:

APT48M80B2-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 800V 49A T-MAX
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 49A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Inventario:

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APT48M80B2 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Tube
Serie
POWER MOS 8™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
49A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
190mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 2.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
305 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9330 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1135W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
T-MAX™ [B2]
Paquete / Caja
TO-247-3 Variant
Número de producto base
APT48M80

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
APT48M80(B2,L) High-Voltage Power Discretes and Modules

Información Adicional

Paquete Estándar
30

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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