APT5010B2FLLG
Número de Producto del Fabricante:

APT5010B2FLLG

Product Overview

Fabricante:

Microchip Technology

Número de pieza:

APT5010B2FLLG-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 46A (Tc) 520W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Inventario:

13253020
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

APT5010B2FLLG Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Tube
Serie
POWER MOS 7®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
46A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 2.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4360 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
520W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
T-MAX™ [B2]
Paquete / Caja
TO-247-3 Variant
Número de producto base
APT5010

Hoja de Datos y Documentos

Información Adicional

Paquete Estándar
30

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
microsemi

APT14050JVFR

MOSFET N-CH 1400V 23A ISOTOP

microsemi

APT30M70SVRG

MOSFET N-CH 300V 48A D3PAK

microchip-technology

APT8052BLLG

MOSFET N-CH 800V 15A TO247

microchip-technology

APTM120UM70FAG

MOSFET N-CH 1200V 171A SP6