MSC080SMA120B
Número de Producto del Fabricante:

MSC080SMA120B

Product Overview

Fabricante:

Microchip Technology

Número de pieza:

MSC080SMA120B-DG

Descripción:

SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 37A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventario:

143 Pcs Nuevos Originales En Stock
13251316
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

MSC080SMA120B Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
37A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 15A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
2.8V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
64 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+23V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
838 pF @ 1000 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
MSC080

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
30

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
microchip-technology

APT8056BVRG

MOSFET N-CH 800V 16A TO247

microchip-technology

APT30M40JVFR

MOSFET N-CH 300V 70A ISOTOP

microchip-technology

APT34F100L

MOSFET N-CH 1000V 35A TO264

microchip-technology

APT5018SFLLG

MOSFET N-CH 500V 27A D3PAK