Número de Producto del Fabricante:
MSC360SMA120B
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
MSC360SMA120B-DG
Descripción:
MOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-24
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 11A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
138 Pcs Nuevos Originales En Stock
12970933
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ENVIAR
MSC360SMA120B Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
450mOhm @ 5A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
3.14V @ 500µA (Typ)
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
21 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+23V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
255 pF @ 1000 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
MSC360
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
150-MSC360SMA120B
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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