Número de Producto del Fabricante:
MSCSM120DAM31CTBL1NG
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
MSCSM120DAM31CTBL1NG-DG
Descripción:
PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 79A 310W Chassis Mount
Inventario:
12978685
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
MSCSM120DAM31CTBL1NG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
79A
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
31mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
2.8V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
232 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3020 pF @ 1000 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
310W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
-
Paquete / Caja
Module
Número de producto base
MSCSM120
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
150-MSCSM120DAM31CTBL1NG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
MSCSM120SKM31CTBL1NG
FABRICANTE
Microchip Technology
CANTIDAD DISPONIBLE
27
NÚMERO DE PIEZA
MSCSM120SKM31CTBL1NG-DG
PRECIO UNITARIO
80.41
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
Productos relacionados
DMTH61M8SPSQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMN6010SCTB-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
DMTH4014SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
