Número de Producto del Fabricante:
MSCSM120HRM052NG
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
MSCSM120HRM052NG-DG
Descripción:
SIC 4N-CH 1200V/700V 472A
Descripción Detallada:
Mosfet Array 1200V (1.2kV), 700V 472A (Tc), 442A (Tc) 1.846kW (Tc), 1.161kW (Tc) Chassis Mount
Inventario:
12961536
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ENVIAR
MSCSM120HRM052NG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Configuración
4 N-Channel (Three Level Inverter)
Función FET
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV), 700V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
472A (Tc), 442A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.2mOhm @ 240A, 20V, 4.8mOhm @ 160A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
2.8V @ 18mA, 2.4V @ 16mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1392nC @ 20V, 860nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
18100pF @ 1000V, 18000pF @ 700V
Potencia - Máx.
1.846kW (Tc), 1.161kW (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Caja
Module
Paquete de dispositivos del proveedor
-
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
150-MSCSM120HRM052NG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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