Número de Producto del Fabricante:
MSCSM120VR1M11CT6AG
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
MSCSM120VR1M11CT6AG-DG
Descripción:
SIC 2N-CH 1200V 251A
Descripción Detallada:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 251A (Tc) 1.042kW (Tc) Chassis Mount
Inventario:
12989525
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ENVIAR
MSCSM120VR1M11CT6AG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Configuración
2 N Channel (Phase Leg)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
251A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
10.4mOhm @ 120A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
2.8V @ 9mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
696nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9000pF @ 1000V
Potencia - Máx.
1.042kW (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Caja
Module
Paquete de dispositivos del proveedor
-
Número de producto base
MSCSM120
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
150-MSCSM120VR1M11CT6AG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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