TN0106N3-G-P003
Número de Producto del Fabricante:

TN0106N3-G-P003

Product Overview

Fabricante:

Microchip Technology

Número de pieza:

TN0106N3-G-P003-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

Inventario:

943 Pcs Nuevos Originales En Stock
12809114
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ENVIAR

TN0106N3-G-P003 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
350mA (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 500µA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
60 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92-3
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número de producto base
TN0106

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
150-TN0106N3-G-P003CT
TN0106N3-G-P003-DG
150-TN0106N3-G-P003DKR-DG
150-TN0106N3-G-P003DKRINACTIVE
150-TN0106N3-G-P003TR
150-TN0106N3-G-P003DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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