TN0610N3-G
Número de Producto del Fabricante:

TN0610N3-G

Product Overview

Fabricante:

Microchip Technology

Número de pieza:

TN0610N3-G-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 500mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

Inventario:

1926 Pcs Nuevos Originales En Stock
12808443
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TN0610N3-G Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Bag
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
500mA (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
3V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 750mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
150 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92-3
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número de producto base
TN0610

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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