TP2635N3-G
Número de Producto del Fabricante:

TP2635N3-G

Product Overview

Fabricante:

Microchip Technology

Número de pieza:

TP2635N3-G-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3
Descripción Detallada:
P-Channel 350 V 180mA (Tj) 1W (Ta) Through Hole TO-92-3

Inventario:

376 Pcs Nuevos Originales En Stock
12810010
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

TP2635N3-G Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Bag
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
350 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
180mA (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
15Ohm @ 300mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
300 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92-3
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número de producto base
TP2635

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
nxp-semiconductors

IRFR220,118

MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK

nxp-semiconductors

BUK962R1-40E,118

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

nxp-semiconductors

BUK7Y08-40B/C,115

MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK56

nxp-semiconductors

BUK953R2-40E,127

MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB