Número de Producto del Fabricante:
VN0109N3-G
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
VN0109N3-G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 90V 350MA TO92-3
Descripción Detallada:
N-Channel 90 V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventario:
3705 Pcs Nuevos Originales En Stock
12808152
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ENVIAR
VN0109N3-G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Bag
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
90 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
350mA (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
65 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92-3
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número de producto base
VN0109
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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