VN1206L-G-P002
Número de Producto del Fabricante:

VN1206L-G-P002

Product Overview

Fabricante:

Microchip Technology

Número de pieza:

VN1206L-G-P002-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3
Descripción Detallada:
N-Channel 120 V 230mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

Inventario:

12863079
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

VN1206L-G-P002 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
120 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
230mA (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 1mA
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
125 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92-3
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Número de producto base
VN1206

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
2,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
microchip-technology

VP2206N3-G

MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3

infineon-technologies

SPP06N60C3XKSA1

LOW POWER_LEGACY

vishay-siliconix

3N163

MOSFET P-CH 40V 50MA TO72

infineon-technologies

IPP60R750E6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220-3