Número de Producto del Fabricante:
VN2210N2
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
VN2210N2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 1.7A (Tj) 360mW (Tc) Through Hole TO-39
Inventario:
596 Pcs Nuevos Originales En Stock
12808694
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
VN2210N2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Bag
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.7A (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
350mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 10mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
500 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
360mW (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-39
Paquete / Caja
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Número de producto base
VN2210
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Ensamblaje/Origen de PCN
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
2266-VN2210N2
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRF7353D2
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
IXFN55N50F
MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
CPC3902ZTR
MOSFET N-CH 250V SOT223
