VN2410L-G-P013
Número de Producto del Fabricante:

VN2410L-G-P013

Product Overview

Fabricante:

Microchip Technology

Número de pieza:

VN2410L-G-P013-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
Descripción Detallada:
N-Channel 240 V 190mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

Inventario:

12810728
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

VN2410L-G-P013 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Tape & Box (TB)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
240 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
190mA (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
125 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92-3
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Número de producto base
VN2410

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
2,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

IRLZ34NS

MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK

microchip-technology

TP2520N8-G

MOSFET P-CH 200V 260MA TO243AA

vishay-siliconix

VQ1004P

MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205

infineon-technologies

IRFR2607Z

MOSFET N-CH 75V 42A DPAK