APT40SM120B
Número de Producto del Fabricante:

APT40SM120B

Product Overview

Fabricante:

Microsemi Corporation

Número de pieza:

APT40SM120B-DG

Descripción:

SICFET N-CH 1200V 41A TO247
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 41A (Tc) 273W (Tc) Through Hole TO-247

Inventario:

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APT40SM120B Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
41A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 1mA (Typ)
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
130 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2560 pF @ 1000 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
273W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247
Paquete / Caja
TO-247-3

Información Adicional

Paquete Estándar
100
Otros nombres
150-APT40SM120B
APT40SM120B-ND

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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