APT80SM120S
Número de Producto del Fabricante:

APT80SM120S

Product Overview

Fabricante:

Microsemi Corporation

Número de pieza:

APT80SM120S-DG

Descripción:

SICFET N-CH 1200V 80A D3PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 80A (Tc) 625W (Tc) Surface Mount D3Pak

Inventario:

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APT80SM120S Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
55mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
235 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
625W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D3Pak
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
APT80SM120(B,S)

Información Adicional

Paquete Estándar
1
Otros nombres
APT80SM120S-ND
150-APT80SM120S

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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