Número de Producto del Fabricante:
APTM100DA18CT1G
Product Overview
Fabricante:
Microsemi Corporation
Número de pieza:
APTM100DA18CT1G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
Descripción Detallada:
N-Channel 1000 V 40A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1
Inventario:
13260739
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ENVIAR
APTM100DA18CT1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microsemi
Embalaje
-
Serie
POWER MOS 8™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
216mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 2.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
570 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
14800 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
657W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SP1
Paquete / Caja
SP1
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
APTM100DA18CT1G-ND
150-APTM100DA18CT1G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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