Número de Producto del Fabricante:

JANSR2N7381

Product Overview

Fabricante:

Microsemi Corporation

Número de pieza:

JANSR2N7381-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 200V 9.4A TO257

Descripción Detallada:

N-Channel 200 V 9.4A (Tc) 2W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-257

Inventario:

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13253619

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JANSR2N7381 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Microsemi

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

200 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

9.4A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

12V

rds activados (máx.) @ id, vgs

490mOhm @ 9.4A, 12V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 1mA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

50 nC @ 12 V

Vgs (máx.)

±20V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

2W (Ta), 75W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Grado

Military

Calificación

MIL-PRF-19500/614

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-257

Paquete / Caja

TO-257-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

1

Otros nombres

JANSR2N7381-ND

150-JANSR2N7381

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

Not Applicable

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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