JANTXV2N6770
Número de Producto del Fabricante:

JANTXV2N6770

Product Overview

Fabricante:

Microsemi Corporation

Número de pieza:

JANTXV2N6770-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 500V 12A TO204AE
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-204AE (TO-3)

Inventario:

12929080
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

JANTXV2N6770 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
500mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
4W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Military
Calificación
MIL-PRF-19500/543
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-204AE (TO-3)
Paquete / Caja
TO-204AE

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
1
Otros nombres
JANTXV2N6770-MIL
JANTXV2N6770-DG
150-JANTXV2N6770

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
rohm-semi

R6030KNZ4C13

MOSFET N-CH 600V 30A TO247

onsemi

NVMFS5C670NLWFT3G

MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN

onsemi

NTMD4184PFR2G

MOSFET P-CH 30V 2.3A 8SOIC

microsemi

JAN2N6901

MOSFET N-CH 100V 1.69A TO205AF