Número de Producto del Fabricante:
JANTXV2N6849
Product Overview
Fabricante:
Microsemi Corporation
Número de pieza:
JANTXV2N6849-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 6.5A TO205AF
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 6.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)
Inventario:
12926106
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
JANTXV2N6849 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
320mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
34.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Military
Calificación
MIL-PRF-19500/564
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-205AF (TO-39)
Paquete / Caja
TO-205AF Metal Can
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
150-JANTXV2N6849
JANTXV2N6849-MIL
JANTXV2N6849-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
FQP44N08
MOSFET N-CH 80V 44A TO220-3
NTE2397
MOSFET N-CHANNEL 400V 10A TO220
JANTX2N6802U
MOSFET N-CH 500V 2.5A 18ULCC
