Número de Producto del Fabricante:
GAN041-650WSBQ
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
GAN041-650WSBQ-DG
Descripción:
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 47.2A 187W Through Hole TO-247-3
Inventario:
296 Pcs Nuevos Originales En Stock
12958427
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ENVIAR
GAN041-650WSBQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
47.2A
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
41mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
187W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Resumen del producto
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
1727-GAN041-650WSBQ
5202-GAN041-650WSBQTR
934661752127
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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