Número de Producto del Fabricante:
PHT6NQ10T,135
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
PHT6NQ10T,135-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 3A (Ta) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventario:
4949 Pcs Nuevos Originales En Stock
12881438
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ENVIAR
PHT6NQ10T,135 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
90mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
633 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-223
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
PHT6NQ10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
PHT6NQ10T135
2166-PHT6NQ10T,135-1727
568-6791-2-DG
568-6791-6-DG
934055876135
5202-PHT6NQ10T,135TR
PHT6NQ10T,135-DG
568-6791-2
PHT6NQ10T /T3
568-6791-1
PHT6NQ10T /T3-DG
1727-5352-6
568-6791-1-DG
568-6791-6
1727-5352-1
1727-5352-2
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDT3612
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
20218
NÚMERO DE PIEZA
FDT3612-DG
PRECIO UNITARIO
0.21
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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