Número de Producto del Fabricante:
PMN55ENEAX
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
PMN55ENEAX-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 3.6A 6TSOP
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 3.6A (Ta) 667mW (Ta), 7.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventario:
6210 Pcs Nuevos Originales En Stock
12915389
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
PMN55ENEAX Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
60mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.7V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
450 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP
Paquete / Caja
SC-74, SOT-457
Número de producto base
PMN55
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
1727-8663-6
1727-8663-1
1727-8663-2
934069657115
5202-PMN55ENEAXTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
NVTFS5811NLWFTWG
MOSFET N-CH 40V 16A 8WDFN
IXFT6N100Q
MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
BUK9M6R0-40HX
MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
