Número de Producto del Fabricante:
PMXB65UPEZ
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
PMXB65UPEZ-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 3.2A (Ta) 317mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Inventario:
70811 Pcs Nuevos Originales En Stock
12831722
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
PMXB65UPEZ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.2V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
72mOhm @ 3.2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
634 pF @ 6 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN1010D-3
Paquete / Caja
3-XDFN Exposed Pad
Número de producto base
PMXB65
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
1727-2177-2
1727-2177-1
568-12342-1-DG
1727-2177-6
568-12342-2-DG
PMXB65UPEZ-DG
934067151147
568-12342-6
568-12342-6-DG
568-12342-1
568-12342-2
5202-PMXB65UPEZTR
PMXB65UPE,147
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
BUK7909-75AIE,127
MOSFET N-CH 75V 75A TO220-5
NX7002BKHH
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN0606-3
PSMN015-100B,118
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
