Número de Producto del Fabricante:
PSMN4R1-60YLX
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
PSMN4R1-60YLX-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 100A (Ta) 238W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventario:
3074 Pcs Nuevos Originales En Stock
12921835
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ENVIAR
PSMN4R1-60YLX Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.1mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7853 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
238W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Caja
SC-100, SOT-669
Número de producto base
PSMN4R1
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
1727-PSMN4R1-60YLXDKR
934069893115
1727-PSMN4R1-60YLXCT
1727-PSMN4R1-60YLXTR
PSMN4R1-60YLX-DG
5202-PSMN4R1-60YLXTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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