PSMN8R0-80YLX
Número de Producto del Fabricante:

PSMN8R0-80YLX

Product Overview

Fabricante:

Nexperia USA Inc.

Número de pieza:

PSMN8R0-80YLX-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 100A (Ta) 238W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

Inventario:

12828658
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PSMN8R0-80YLX Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8167 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
238W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Caja
SC-100, SOT-669
Número de producto base
PSMN8R0

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
934069898115
5202-PSMN8R0-80YLXTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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